Αγορά Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI3900DV-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Αριθμός ανταλλακτικού

SI3900DV-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Ισχύς - Μέγ

830mW

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

6-TSOP

Τύπος FET

2 N-Channel (Dual)

Λειτουργία FET

Logic Level Gate

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 41465 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI3900DV-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP