Αγορά Vishay Siliconix SI4900DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Αριθμός ανταλλακτικού

SI4900DY-T1-E3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Ισχύς - Μέγ

3.1W

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-SO

Τύπος FET

2 N-Channel (Dual)

Λειτουργία FET

Logic Level Gate

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

60V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

20nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

665pF @ 15V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 22360 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC