Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SI6410DQ-T1-GE3

SI6410DQ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7.8A 8-TSSOP
Αριθμός ανταλλακτικού
SI6410DQ-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Obsolete
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSSOP
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
1.5W (Ta)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
30V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
33nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 8326 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SI6410DQ-T1-GE3
SI6410DQ-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SI6410DQ-T1-GE3 Εκπτώσεις
SI6410DQ-T1-GE3 Προμηθευτής
SI6410DQ-T1-GE3 Διανομέας
SI6410DQ-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SI6410DQ-T1-GE3 Φωτογραφίες
SI6410DQ-T1-GE3 Τιμή
SI6410DQ-T1-GE3 Προσφορά
SI6410DQ-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SI6410DQ-T1-GE3 Αναζήτηση
SI6410DQ-T1-GE3 Αγοραστικός
SI6410DQ-T1-GE3 Chip