Αγορά Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI6467BDQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Αριθμός ανταλλακτικού

SI6467BDQ-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

8-TSSOP

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

1.05W (Ta)

Τύπος FET

P-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

12V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

6.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 450µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 17842 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI6404DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP