Αγορά Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Αριθμός ανταλλακτικού

SI8800EDB-T2-E1

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

4-XFBGA, CSPBGA

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

4-Microfoot

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

500mW (Ta)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

20V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

8.3nC @ 8V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (Μέγ.)

±8V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 26429 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT