Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Αριθμός ανταλλακτικού
SIA811ADJ-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
LITTLE FOOT®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Digi-Reel®
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Τύπος FET
P-Channel
Λειτουργία FET
Schottky Diode (Isolated)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
20V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
13nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
345pF @ 10V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 25223 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIA811ADJ-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIA811ADJ-T1-GE3 Προμηθευτής
SIA811ADJ-T1-GE3 Διανομέας
SIA811ADJ-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIA811ADJ-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIA811ADJ-T1-GE3 Τιμή
SIA811ADJ-T1-GE3 Προσφορά
SIA811ADJ-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIA811ADJ-T1-GE3 Αναζήτηση
SIA811ADJ-T1-GE3 Αγοραστικός
SIA811ADJ-T1-GE3 Chip