Αγορά Vishay Siliconix SIE726DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SIE726DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

SIE726DF-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

SkyFET®, TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Obsolete

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

10-PolarPAK® (L)

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

10-PolarPAK® (L)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

30V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

160nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

7400pF @ 15V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 45806 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας