Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Αριθμός ανταλλακτικού
SIHB12N50C-E3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
-
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D²PAK (TO-263)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
208W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
500V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
48nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1375pF @ 25V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 5251 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIHB12N50C-E3
SIHB12N50C-E3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIHB12N50C-E3 Εκπτώσεις
SIHB12N50C-E3 Προμηθευτής
SIHB12N50C-E3 Διανομέας
SIHB12N50C-E3 Πίνακας δεδομένων
SIHB12N50C-E3 Φωτογραφίες
SIHB12N50C-E3 Τιμή
SIHB12N50C-E3 Προσφορά
SIHB12N50C-E3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIHB12N50C-E3 Αναζήτηση
SIHB12N50C-E3 Αγοραστικός
SIHB12N50C-E3 Chip