Αγορά Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Αριθμός ανταλλακτικού

SIR770DP-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® SO-8 Dual

Ισχύς - Μέγ

17.8W

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® SO-8 Dual

Τύπος FET

2 N-Channel (Dual)

Λειτουργία FET

Logic Level Gate

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

30V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

21nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

900pF @ 15V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 54469 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8