Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Αριθμός ανταλλακτικού
SIS888DN-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
ThunderFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® 1212-8S
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
52W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
150V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
420pF @ 75V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 50345 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIS888DN-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIS888DN-T1-GE3 Προμηθευτής
SIS888DN-T1-GE3 Διανομέας
SIS888DN-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIS888DN-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIS888DN-T1-GE3 Τιμή
SIS888DN-T1-GE3 Προσφορά
SIS888DN-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIS888DN-T1-GE3 Αναζήτηση
SIS888DN-T1-GE3 Αγοραστικός
SIS888DN-T1-GE3 Chip