Αγορά Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Αριθμός ανταλλακτικού

SIS888DN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

ThunderFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TA)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® 1212-8S

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

52W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

150V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.2V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

420pF @ 75V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 50345 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212