Αγορά Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Δείτε περισσότερες πληροφορίες Φύλλα δεδομένων

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Αριθμός ανταλλακτικού

SIS892DN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Tape & Reel (TR)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® 1212-8

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

100V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

611pF @ 50V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

±20V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 39381 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212