Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Αριθμός ανταλλακτικού
SIS892DN-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
PowerPAK® 1212-8
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
100V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
611pF @ 50V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 39381 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SIS892DN-T1-GE3 Εκπτώσεις
SIS892DN-T1-GE3 Προμηθευτής
SIS892DN-T1-GE3 Διανομέας
SIS892DN-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SIS892DN-T1-GE3 Φωτογραφίες
SIS892DN-T1-GE3 Τιμή
SIS892DN-T1-GE3 Προσφορά
SIS892DN-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SIS892DN-T1-GE3 Αναζήτηση
SIS892DN-T1-GE3 Αγοραστικός
SIS892DN-T1-GE3 Chip