Αγορά Vishay Siliconix SISS08DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212

Κίνα
Επαγγελματικός προμηθευτής ηλεκτρονικών εξαρτημάτων

Κατάλογοι Κατασκευαστές CN ICs

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SISS08DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212

Αριθμός ανταλλακτικού

SISS08DN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET® Gen IV

Κατάσταση μέρους

Active

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

PowerPAK® 1212-8S

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8S

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

25V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

82nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3670pF @ 12.5V

Vgs (Μέγ.)

+20V, -16V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 47281 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-