Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Αριθμός ανταλλακτικού
SISS10DN-T1-GE3
Κατασκευαστής/Μάρκα
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση μέρους
Active
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη
8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
57W (Tc)
Τύπος FET
N-Channel
Λειτουργία FET
-
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
40V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
75nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
3750pF @ 20V
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Μέγ.)
+20V, -16V
Αίτημα παράθεσης
Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.
Σε απόθεμα 21196 PCS
Στοιχεία επικοινωνίας
Λέξεις-κλειδιά του SISS10DN-T1-GE3
SISS10DN-T1-GE3 ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΞΑΡΤΗΜΑΤΑ
SISS10DN-T1-GE3 Εκπτώσεις
SISS10DN-T1-GE3 Προμηθευτής
SISS10DN-T1-GE3 Διανομέας
SISS10DN-T1-GE3 Πίνακας δεδομένων
SISS10DN-T1-GE3 Φωτογραφίες
SISS10DN-T1-GE3 Τιμή
SISS10DN-T1-GE3 Προσφορά
SISS10DN-T1-GE3 ΧΑΜΗΛΟΤΕΡΗ ΤΙΜΗ
SISS10DN-T1-GE3 Αναζήτηση
SISS10DN-T1-GE3 Αγοραστικός
SISS10DN-T1-GE3 Chip