Αγορά Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Η εικόνα μπορεί να είναι αναπαράσταση.
Δείτε τις προδιαγραφές για λεπτομέρειες προϊόντος.

Φύλλα δεδομένων

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Αριθμός ανταλλακτικού

SISS10DN-T1-GE3

Κατασκευαστής/Μάρκα

Vishay Siliconix

Σειρά

TrenchFET®

Κατάσταση μέρους

Active

Συσκευασία

Cut Tape (CT)

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 150°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Surface Mount

Πακέτο / Θήκη

8-PowerVDFN

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Διαρροή ισχύος (Μέγ.)

57W (Tc)

Τύπος FET

N-Channel

Λειτουργία FET

Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)

40V

Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs

75nC @ 10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds

3750pF @ 20V

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Μέγ.)

+20V, -16V

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία και κάντε κλικ στο "ΥΠΟΒΟΛΗ", θα επικοινωνήσουμε μαζί σας σε 12 ώρες μέσω email. Εάν έχετε οποιοδήποτε πρόβλημα, αφήστε μηνύματα ή email στο [email protected], θα απαντήσουμε το συντομότερο δυνατό.

Σε απόθεμα 21196 PCS

Στοιχεία επικοινωνίας

Σχετικά προϊόντα

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-